一、ESD通常有以下几种模式：
HBM(人体模型)HumanBodyModel
MM(机器模型)MachineModel
CDM(人体模型)ChargedDeviceModel
二、原理：
1.为了保证集成电路产品的良率，提高可靠性，需要对集成电路ESD防护能力进行测试。
2.在芯片的研发阶段，与ESD防护研究最为相关的是防护器件的功能测试。此阶段的测试广泛采用传输线脉冲技术(TLP)。通过TLP测试，可以获得防护器件的关键性能参数，便于在生产制造过程中调整相关的设计，从根本上提高产品的ESD防护能力，保证良率。
3.为了更好地量化不同情形下的ESD冲击，一般分为五种不同的模型。包括工业界作为产品片上ESD等级衡量标准的HBM，CDM，MM模型和针对板级和系统级ESD防护的IEC(Internationalelectrotechnicalcommission)模型和HMM人体金属模型(Humanmetalmodel)。
三、区别与联系：
1.充电器件模型CDM不同于HBM和MM两种放电模型，它是指集成电路产品本身在组装或者运输过程中被充电，接触到地或者其他导体时发生电荷转移，电荷从集成电路内部流出。CDM测试模拟充电集成电路与接地表面金属接触时所经历的快速放电。
2.印刷电路板自动快速地从一个位置移动到另一个位置，同时高速机械臂从托盘或卷轴上抓取组件并将它们放置在电路板上。
