system integration

系统集成

存储器参数测试系统

MRAM 磁性随机存取存储器参数测试解决方案

MRAM磁存储器晶圆级自动化测试解决方案

方案概述

在数据驱动的时代,磁存储器(MRAM)凭借高存储密度、超长数据保持能力和优异的低功耗特性,已成为下一代非易失性存储技术的核心。作为现代信息技术领域的关键存储器件,MRAM的性能与可靠性直接决定了数据存储系统的稳定性。

南京芯测提供MRAM磁存储器晶圆级自动化测试解决方案,通过软硬件深度协同,实现对磁存储器芯片MTJ结构的R-H、R-V、Psw等关键电参数的全面测量与提取,助力客户精准把控工艺质量,提升产品良率与生产效率。


核心测试能力:

1)

测试参数说明关键仪表
R-H电阻-磁场特性曲线是德科技 B2912B 精密源表
R-V电阻-电压特性曲线是德科技 B2912B 精密源表
Psw开关特性/程序状态参数是德科技 33600A 波形/函数发生器


系统架构

1)硬件平台

全自动探针台(推荐:芯测GP2000)

磁场系统可控 3D 磁场搭载,支持多维度磁场校准

 高低温透磁 Chuck 升级,满足宽温域测试需求

 射频/直流探针兼容搭载,灵活应对不同测试场景

2)探针方案

定制型射频/直流多点专用探针卡:适合低成本大批量量产测试

 高精度探针座:满足灵活多变的研发验证需求

芯测软件平台 


核心功能:

 

可视化 Map 管理:支持创建、编辑、导入导出;百万级 Die 兼容,多种 BIN 颜色标识

 

向导式硬件配置:LAN/PXI/GPIB 多拓扑架构,一键连接探针台与仪表

 

智能测试执行:单次/循环运行模式,预测试快速验证,连续测试高效量产

 

实时数据监控:R-H 曲线实时显示,Smith/dB 等多维度数据呈现

 

SPEC 文件导入:一键导入配置文件,快速建立测试标准与分 Bin 规则

 

后端数据分析:直方图分布统计、Pass/Fail Map 自动生成、测试报告一键导出

 

数据库管理:灵活创建数据表与字段,支持自定义数据保存与导出

 

多级权限管理:管理员/操作员双模式,保障工艺数据安全