方案概述

在半导体芯片研发、量产测试及失效分析的全流程中，芯片内部热点、微区漏电、局部过温、功率损耗集中等问题，是制约产品良率提升、研发周期缩短、可靠性优化的核心瓶颈。

传统芯片测试模式存在明显短板：仅能获取电气性能数据，无法同步观测温度分布，导致"只知异常、不知根源"；常规红外热像仪体积庞大、依赖液氮制冷、响应延迟高，且无法与探针台、Loadpull射频测试系统无缝协同，需单独开展测温测试，大幅增加测试工序、延长测试周期，还存在液氮存储、运输、补充的安全隐患与成本负担。

本方案以高灵敏度中波红外热像仪为核心，无缝对接GP200-TH手动探针台与Loadpull射频测试系统，构建"电气测试+实时红外热成像"一体化平台，真正实现芯片测试过程中"边测试、边成像、边定位、边分析"，无需额外增加测试步骤，大幅提升研发效率、缩短失效分析周期、降低测试成本与安全风险。

红外波段选型指南

芯片发热温度直接决定其红外辐射主峰波段，选型核心原则：发热辐射主峰在哪一波段，就选择对应波段的红外热像仪。

针对芯片内部/背面测试、功率器件微热点检测、锁相热成像等主流半导体测试场景，首选中波红外（MWIR）设备。

六大核心优势

1. 实时成像无延迟，测试测温同步完成

帧率指标：全帧模式下帧率可达115Hz，开窗模式（局部区域观测）帧率高达1550Hz，远超行业常规中波红外热像仪（常规全帧帧率≤60Hz），可动态捕捉芯片测试过程中的瞬态热点、温度突变等细节，无任何画面延迟

锁相测试能力：支持最高25Hz锁相测试，可有效降低热扩散干扰，提升故障定位精度，尤其适合瞬态发热、微区漏电等隐蔽缺陷的实时检测

同步性能：与GP200-TH探针台、Loadpull系统无缝协同，芯片加电测试、阻抗匹配测试、功率测试的同时，实时显示温度云图，实现"测试-成像-分析"一体化

2. 硅衬底穿透能力强，可实现芯片背面观测

波段指标：光谱响应精准覆盖3.7–4.8μm（3700–4800nm），处于中波红外核心波段，硅材料在该波段的透过率约50%，可直接穿透硅（Si）、碳化硅（SiC）等芯片测试常用窗口材料

观测效果：无需破坏芯片封装，即可透过硅衬底观测芯片内部金属化结构、线路布局，精准定位内部微热点、漏电区域，解决传统设备"只能看表面、看不到内部"的痛点

3. 小型化设计，易集成、不占地

尺寸指标：机身最大尺寸仅162×110×120mm（长×宽×高），重量仅3kg，远小于行业常规中波红外热像仪（常规尺寸≥200×150×150mm，重量≥5kg）

集成优势：可直接固定于GP200-TH探针台上方（同轴或旁轴观测），搭载Loadpull射频测试系统，不占用额外测试空间，兼容现有测试生产线，无需对测试环境进行改造

4. 斯特林无液氮制冷，安全便捷、免维护

制冷技术：采用斯特林循环微型制冷机（功率0.5W），无需液氮、无需干冰等制冷耗材，彻底解决液氮存储、运输、补充的安全隐患与成本负担，开机即可启动制冷，无需提前准备

制冷指标：在22°C±2°C环境下，制冷至探测器工作温度（80K，约-193°C）仅需<7分30秒，开机后快速进入工作状态，实现"即用即测"

使用寿命：杜瓦采用真空密封金属结构，MTTF（平均无故障时间）>10,000小时，制冷系统稳定可靠，无需频繁维护

5. 超高测温灵敏度，精准捕捉微区温差

灵敏度指标：NETD（噪声等效温差）<20mK（f/1光学系统，100Hz帧率下），可识别极微弱的温度差异（最小可检测0.02°C的温度变化），远超行业常规设备（常规NETD≥30mK）

分辨率优势：探测器像元间距仅15μm，阵列尺寸640×512像素，空间分辨率高达1μm，可精准定位μm级微热点、局部漏电区域、功率损耗集中点

6. 稳定可靠，适配严苛测试环境

环境适应性：工作温度范围-40°C~+71°C，存储温度范围-54°C~+71°C，可适应不同测试环境（如高低温测试实验室、量产车间），无需额外温控设备

系统兼容：支持Camera Link UART控制接口与Camera Link数据传输接口，传输速率稳定，Camera Link版本适配Windows 10系统，USB版本兼容Windows 10/11系统，可与现有测试软件、数据处理系统无缝对接

校准保障：每台设备出厂前均经过为期数天的严格校准，配备正规校准证书，确保测温精度长期稳定

探测器核心参数：

应用场景：

芯片研发阶段：失效分析、设计优化、热特性验证

量产测试阶段：批量测试、质量管控、良率提升

功率器件测试：MOSFET、IGBT、SiC/GaN宽禁带半导体热特性分析

射频器件测试：Loadpull系统协同，射频功率器件热成像

晶圆级测试：在片热分布测量，无需封装即可评估