Auriga PIV系统是一个功能全面的表征平台，能够进行直流和脉冲IV表征。由于脉冲器头部电路具有低剖面，可更靠近被测设备（DUT）移动，这有助于通过减少传输线对测量的影响来保持脉冲信号的完整性。外部脉冲器头部可互换，提供多种配置，从20V-100mA到2000V-100A。

功能简介：

-V测量被用作确定和理解电子电路中器件基本参数的工具。I-V特性（I-V代表电流和电压）是指当电压施加于电路两端时，流经电路的电流与电压之间的关系。从曲线的形状和细节中可以提取电子器件的一些关键特性，从而深入了解其工作原理。IV曲线也被广泛用于对电子电路的行为进行数学建模。

I-V特性测量适用于场效应晶体管（FET）和双极结型晶体管（BJT）。对于FET，使用“栅极”和“漏极”术语；而对于BJT，则将这些术语替换为“基极”和“集电极”。

I-V测量方法主要有两种：

• 直流I-V（DC-IV）

在直流I-V测量中，会向器件施加一系列随时间变化的电压，并在每个电压下测量流经器件的电流。此过程在整个测量周期中持续进行。这种连续循环有时会因温度升高而改变器件的电子特性。

• 脉冲I-V（Pulsed IV）

脉冲I-V表征与直流分析中实施的过程类似，在栅极和漏极电压随时间阶梯变化时，会产生类似的漏极电流曲线，但该曲线是在等温条件下（脉冲）获取的，对应于由其静态控制电压定义的特定静态点。这意味着脉冲的基线在栅极和漏极电压方面具有非零值，通常称为工作点或静态（q）点。为了实现准确的脉冲表征，应使用短脉冲宽度以在等温和等动态条件下进行I-V测量。脉冲周期的持续时间应大于脉冲宽度，以确保器件在每次测量脉冲后恢复到稳态条件。这在一定程度上消除了自热和陷阱效应。

• 脉冲S参数（Pulsed S-Parameters）

脉冲S参数测量的原理是在脉冲I-V网络的每个瞬时偏置点（VNQGate，VNQDrain）上叠加射频信号，并采集S参数。该测量的设置包括与矢量网络分析仪（VNA）耦合的脉冲I-V系统，从而实现脉冲S参数测量。PIV系统作为主要触发模块触发VNA，这种同步是为了在瞬时I-V脉冲内进行射频测量（S参数）。在VNA中添加足够的延迟，以避免在I-V脉冲的任何不稳定区域或瞬态期间进行射频测量。在测量阶段，对于整个I-V特性的每个瞬时点（VNQGate，VNQDrain），会在频率带宽上测量一个S参数文件。事实上，以脉冲模式测量的每个S参数文件都给出了器件在静态偏置点（VQGate，VQDrain）的实际响应。

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